關鍵詞：絕緣介質 多晶硅 電荷耦合器件 

摘要：電荷耦合器件(CCD)多晶硅交疊區域絕緣介質對成品率和器件可靠性具有重要的影響。將氮化硅和二氧化硅作為CCD多晶硅層間復合絕緣介質,采用掃描電子顯微鏡(SEM)和電學測試系統研究了多晶硅層間氮化硅和二氧化硅復合絕緣介質對CCD多晶硅柵間距和多晶硅層間擊穿電壓的影響。研究結果表明,多晶硅層間復合絕緣介質中的氮化硅填充了多晶硅熱氧化層的微小空隙,可以明顯改善絕緣介質質量。多晶硅層間擊穿電壓隨著氮化硅厚度的增加而增大,但太厚的氮化硅會導致CCD暗電流明顯增大。由于復合絕緣介質質量好,可以減小CCD多晶硅的氧化厚度。

半導體光電雜志要求:

{1}文稿要求論述充分有力，研究方法嚴謹創新。

{2}來稿敬請附上作者簡介、真實姓名、電話、詳細通訊地址、電子信箱等個人資料。

{3}本刊作者文圖責任自負。對于作者侵犯他人版權或其他權利的文字、圖片稿件，本刊概不承擔任何連帶責任。

{4}基金項目和作者簡介按下列格式：基金項目：項目名稱（編號）；作者簡介：姓名（出生年），性別，籍貫，單位，學位，研究方向。

{5}摘要中不出現圖、表、化學結構式和非公知用的符號和術語，也不宜引用文中圖、表、公式和參考文獻的序號。關鍵詞一般選用3～5個敘詞，中英文相一致。

注：因版權方要求，不能公開全文，如需全文，請咨詢雜志社