關(guān)鍵詞：歐姆接觸 比接觸電阻率 環(huán)形傳輸線法 

摘要：為改善GaN基LED的p型氮化鎵(p-GaN)與透明導(dǎo)電層之間的接觸性能,采用磁控濺射法在p-GaN上制備了Ni/Au透明導(dǎo)電層。定性地分析了兩種金屬在薄膜中的作用,通過測量Ni/Au透明導(dǎo)電薄膜退火后的比接觸電阻率、方塊電阻和透過率來獲取最優(yōu)金屬層厚度,Ni和Au的厚度分別為3 nm和5 nm。在400℃、空氣氛圍下退火1 min時,獲得了低的比接觸電阻率,薄膜方塊電阻為102Ω/,采用環(huán)形傳輸線法測量的比接觸電阻率為6.1×10-4Ω·cm2。薄膜的透過率在478 nm時達到了77.3%。使用該薄膜制備的LED,開啟電壓為2.5 V,在工作電流為20 mA時的工作電壓為2.9 V,證實了所制備的Ni/Au薄膜可用于制備LED的透明導(dǎo)電層。

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