關鍵詞：氧化鋅納米棒陣列 圖案化制備 太陽能電池 電化學電池 

摘要：ZnO作為一種典型的直接帶隙寬禁帶半導體材料極具開發潛力和應用價值.隨著圖案化技術的不斷發展優化,ZnO納米棒陣列的精確可控制備逐步得到實現.本文綜述了利用激光限域技術制備圖案化ZnO納米棒陣列的方法,并詳述了其在太陽能電池和光電化學電池中的應用.激光干涉法制備的ZnO納米陣列比表面積大且具有直線傳輸的優勢,運用于光伏器件和電化學電池中增加了光吸收同時利于載流子傳輸,器件性能顯著提高.圖案化ZnO納米棒陣列具有可控的三維空間結構,廣泛應用關于各類能源器件中,具有極大的研究和應用價值.

北京科技大學學報·社會科學版雜志要求:

{1}注釋與參考文獻：注釋是對論文中某一特定內容的解釋或補充說明，用帶圈數字注于當頁頁腳；參考文獻是論文中引用的觀點、數據和材料等內容的出處，用帶方括號的數字（如[]）按順序編碼標明，并與文末編碼對應。

{2}按要求寫明作者信息、中英文題目、內容摘要、關鍵詞等信息。

{3}文稿力求主題突出、論點明確、數據可靠、文句簡煉通順、結構合理、層次清楚。

{4}關鍵詞選擇反映論文主要內容的術語3～5個，以分號分隔。

{5}題目：要求簡潔、精煉，能夠完整、準確地概括全文內容，并能反映文章的特定內容。不宜以阿拉伯數字開頭，字數不宜超過20個字。

注：因版權方要求，不能公開全文，如需全文，請咨詢雜志社