關鍵詞：cvd sic 微觀結構 

摘要：利用低密度的C/C復合材料為沉積基體,通過化學氣相沉積法制備氣相生長SiC,分析并研究了不同沉積位置和反應物濃度下氣相生長SiC的微觀形貌和物相組成.結果表明,隨著反應物氣體濃度的降低,多孔C/C復合材料基體上氣相生長的SiC的微觀結構呈區域性變化,SiC薄膜依次向SiC薄膜和顆粒、SiC短棒、SiC納米線轉變.探討了不同反應物濃度氣氛中過飽和度誘導原子遷移和氣相分子吸附的過程,并提出一個SiC的生長模型.

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