關鍵詞：緩沖層 交換偏置 微結構 靜態磁性能 

摘要：采用直流磁控濺射法沉積了Ta/NiFe/FeMn/Ta薄膜系列樣品。通過振動樣品磁強計(VSM)、X射線衍射(XRD)、原子力顯微鏡(AFM)等檢測手段研究了Ta緩沖層厚度對NiFe/FeMn薄膜交換偏置場、矯頑力的影響。VSM測試結果表明,交換偏置場He隨Ta緩沖層厚度增加而增大,矯頑力Hc隨隨Ta緩沖層厚度增加有減小的趨勢。通過AFM檢測了不同厚度Ta緩沖層上生長的NiFe層表面均方根粗糙度,發現其隨Ta緩沖層厚度的增加而減小,表明NiFe/FeMn界面變得更加均勻,這導致了較大的He和較小的Hc。另外,通過XRD分析,發現隨著Ta層厚度的增加Ta由非晶態轉化為結晶狀態并先后顯示出Ta(300)、Ta(200)取向,表明隨著Ta緩沖層厚度增加,其織構轉變也可能會導致靜態磁性的變化。

磁性材料及器件雜志要求:

{1}中文標題一般不超過20字。應準確、簡明地反映文章內容，避免使用未約定俗成的縮寫詞、字符、代號等。

{2}請勿一稿多投，來稿文責自負，編輯部有權進行修改。

{3}其他未及事宜，若發生爭議，雙方將協商解決；若協商不成，則按照《中華人民共和國著作權法》和有關的法律法規處理。

{4}作者簡介、通信地址和聯系方法所有內容，全部附于稿件文檔內。

{5}采用順序編碼制著錄參考文獻，依照其在正文中出現的先后順序，用阿拉伯數字加方括號標出。參考文獻僅限作者親自閱讀過的主要文獻，其中近5年內的文獻應占50%以上。

注：因版權方要求，不能公開全文，如需全文，請咨詢雜志社