關(guān)鍵詞：硅量子點(diǎn) 粒徑分布 光伏 光致熒光 

摘要：提出了一個(gè)用來(lái)定量分析膠體硅量子點(diǎn)光致熒光光譜的模型,得到量子點(diǎn)的粒徑分布,并將此方法應(yīng)用于固體硅量子點(diǎn)材料粒徑分布的分析。結(jié)果表明:與膠體硅量子點(diǎn)相比,固體樣品中硅量子點(diǎn)粒徑分布更寬。這可能是由于固體樣品硅在結(jié)晶過(guò)程中水平方向缺乏約束,因此形成的量子點(diǎn)為橢球形。納米硅中粒徑分布太寬會(huì)導(dǎo)致材料帶隙分布變寬。減少量子約束效應(yīng),限制了這些材料在實(shí)際中的應(yīng)用。

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