關鍵詞：硅通孔技術 化學機械平坦化 通孔 工藝匹配 

摘要：TSV技術是實現集成電路3D封裝互連、降低RC延遲和信號干擾、改善芯片傳輸速度及功耗的有效方法。基于TSV技術的CMP工藝主要用于通孔大馬士革銅工藝淀積后的正面拋光和晶圓背面TSV結構的暴露及平坦化工藝,分步拋光工藝匹配技術具有去除速率高、拋光時間可控、碎片風險小、選擇比低、凹陷及凸起缺陷少等特點,銅的去除率大于1000nm/min,銅凹陷小于15nm,平坦化表面粗糙度小于1nm,表面不均勻度小于5%,可滿足TSV工藝技術中晶圓表面的平坦化需求。

電子工業專用設備雜志要求:

{1}基金資助項目的標注請放在首頁地腳(名稱及項目編號)。

{2}來稿一律文責自負。依照《著作權法》有關規定，本刊可對來稿做文字修改、刪節。

{3}來稿要求題材新穎、內容真實、論點明確、層次清楚、數據可靠、文句通順。

{4}題名。以概括文章主題且不超過20個字為宜。

{5}摘要應能反映論文的主要內容信息，具有獨立性和自含性，一般不超過200字。

注：因版權方要求，不能公開全文，如需全文，請咨詢雜志社