關(guān)鍵詞：光伏裝備 沉積工藝 氧化鋁薄膜 少子壽命 

摘要：采用平板式等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積(PECVD)設(shè)備,開展氧化鋁(Al2O3)薄膜沉積工藝的研究。通過在p型單晶硅片背表面沉積Al2O3和氮化硅(SiNx)薄膜,形成Al2O3/SiNx疊層鈍化膜,研究了Al2O3薄膜沉積工藝中加熱溫度、工藝傳送速度、微波功率、三甲基鋁(TMA)流量等工藝參數(shù)對鈍化效果的影響,得到了最佳的工藝參數(shù):加熱溫度350℃、工藝傳送速度240cm/min、微波功率521W、TMA流量600mg/min。在該工藝條件下進(jìn)行Al2O3/SiNx疊層鈍化膜的沉積,測試硅片的平均少子壽命達(dá)到335.7μs。在此基礎(chǔ)上進(jìn)行PERC電池生產(chǎn),電池轉(zhuǎn)換效率達(dá)到21.876%。

電子工業(yè)專用設(shè)備雜志要求:

{1}基金資助項目的標(biāo)注請放在首頁地腳(名稱及項目編號)。

{2}來稿一律文責(zé)自負(fù)。依照《著作權(quán)法》有關(guān)規(guī)定，本刊可對來稿做文字修改、刪節(jié)。

{3}來稿要求題材新穎、內(nèi)容真實、論點明確、層次清楚、數(shù)據(jù)可靠、文句通順。

{4}題名。以概括文章主題且不超過20個字為宜。

{5}摘要應(yīng)能反映論文的主要內(nèi)容信息，具有獨立性和自含性，一般不超過200字。

注：因版權(quán)方要求，不能公開全文，如需全文，請咨詢雜志社