關鍵詞：功率晶體管 直流增益 高低溫變化率 埋層結構 優化 

摘要：利用TCAD半導體器件仿真軟件,依據NPN型大功率晶體管電參數指標要求,針對直流增益及其高、低溫變化率進行了研究.為拓寬滿足直流增益要求的結構參數范圍并改善直流增益高、低溫變化率,提出一種新型帶P^+埋層的高反壓大功率晶體管結構.仿真結果表明:通過對P^+埋層摻雜濃度和厚度進行優化,可有效折中直流增益和集電極-發射極擊穿電壓的矛盾關系,使得發射區、基區結構參數在較大范圍內滿足直流增益指標要求,增大了工藝裕量.P^+埋層的存在,可針對滿足直流增益及其高、低溫變化率的要求來調整發射區、基區結構參數.

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