關鍵詞：非晶銦鎵鋅氧薄膜晶體管 自對準頂柵 柵介質刻蝕 氫摻雜 

摘要：采用氫(H)擴散摻雜源漏的方法對自對準頂柵a-IGZO TFT的制備工藝進行了研究。氫的擴散摻雜通過PECVD生長SiNx鈍化層而實現。實驗結果顯示,在柵電極圖形化后,是否繼續進行柵介質刻蝕對器件性能有較大影響。對刻蝕了SiO2柵介質層的器件,發現其泄漏電流較大,這可能是由于有源層側壁的刻蝕殘留物導致的;短溝道器件閾值電壓偏負且在經過退火后遷移率減小,則是由于嚴重的H橫向擴散導致的。對未刻蝕SiO2柵介質層的器件,發現其閾值電壓相對偏正,應該是因為SiO2柵介質對H的摻雜有一定的阻擋作用,導致H的橫向擴散得到了抑制;器件在經過退火后遷移率上升,開態電流增大,應該是因為未刻蝕柵介質中的H熱擴散到下方的源漏區域,降低了源漏電阻。

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