關鍵詞：聚硅氧烷 超支化 聚集誘導發光 熒光 密度泛函理論 

摘要：聚集誘導發光(AIE)的聚硅氧烷不含傳統共軛基團,且其中的硅元素賦予了其優良的光物理性能和優異的生物相容性.近年來,我們制備了一系列含雙鍵、羥基、胺基和環氧基的超支化和線性聚硅氧烷,發現其發光性能隨結構的不同而改變,且具有一定的規律性,但對其發光機理缺乏深刻的認識.因此,探究并揭示聚硅氧烷的發光機理及結構與發光性能之間的關系具有很強的挑戰性.本文綜述了影響超支化聚硅氧烷發光性能的一系列因素,并利用密度泛函理論(DFT)和含時密度泛函理論(TD-DFT)對它的發光機理進行了闡釋,提出了“硅橋強化發光”(SiEE)的概念.在此基礎上,簡述了聚硅氧烷的應用,并指出了其今后的研究方向.

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