關(guān)鍵詞：超寬帶 巴倫 高效率 分布式功率放大器 

摘要：報道了一款采用0.25μm GaN HEMT工藝研制的1~8GHz超寬帶分布式功率放大器芯片。通過在芯片的輸出端設(shè)計超寬帶巴倫結(jié)構(gòu),來實現(xiàn)負載阻抗變換,以提高分布式電路的輸出功率和效率特性。為了提高電路的增益,設(shè)計了一種兩級非均勻式的電路拓撲結(jié)構(gòu)。該芯片在1~8GHz頻率范圍內(nèi),漏壓28 V連續(xù)波條件下,線性增益大于25.8dB,功率增益大于23.2dB,典型飽和輸出功率為10W,功率附加效率大于28.8%。芯片面積為3.5mm×3.3mm。

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