關(guān)鍵詞：光電探測器 半導(dǎo)體性單壁碳納米管 表面等離激元 銀納米線 

摘要：基于表面等離子體增強的機理,利用銀納米線及半導(dǎo)體性單壁碳納米管通過微納加工手段制備了一種混合光電探測器,使用掃描電子顯微鏡、拉曼光譜分析儀、半導(dǎo)體裝備分析儀及光電流譜技術(shù)等手段分別表征了制得混合光電探測器的微觀形貌、響應(yīng)光譜特征、光吸收性能和光響應(yīng)性能及光電流光譜性能。結(jié)果表明,制得混合光電探測器溝道薄膜形貌均勻緊密,沉積成膜的碳納米管直徑約為1.4 nm,主要由半導(dǎo)體性單壁碳納米管所構(gòu)成。該雜化的光電探測器在可見光到近紅外光譜范圍內(nèi)都表現(xiàn)出優(yōu)良的寬譜響應(yīng)特性。在近紅外波段(約1 050 nm)下,混合光電探測器的光響應(yīng)度可以達到34.9 mA/W,遠優(yōu)于無銀納米線光電探測器(7.45 mA/W)。并且混合器件在受到532 nm激光激發(fā)時的響應(yīng)時間約為200μs,同時保持了超快的光響應(yīng)性能。與無銀納米線光電探測器相比,混合光電探測器在寬譜范圍內(nèi)的光響應(yīng)性能增強,其中,在光電流模式下的光響應(yīng)性能最高增強7.5倍。

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