關鍵詞：硅基碲鎘汞 分子束外延 材料性能 

摘要：目前,高性能大面陣中波及短波紅外探測器已經得到了越來越多的應用。材料參數控制精確、材料質量良好的碲鎘汞材料是獲得高質量碲鎘汞探測器的先決條件。報道了華北光電技術研究所在分子束外延(Molecular Beam Epitaxy,MBE)生長硅基中波及短波碲鎘汞材料方面的最新研究進展,并介紹了現階段MBE生長碲鎘汞材料的研究現狀。

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