1.55 μm AlGaInAs/InP小發散角量子阱激光器的仿真和制備

熊迪; 郭文濤; 郭小峰; 劉海峰; 廖文淵; 劉維華; 張楊杰; 曹營春; 譚滿清 中國科學院半導體研究所集成光電子國家重點實驗室; 北京100083; 中國科學院大學材料科學與光電工程中心; 北京100083

關鍵詞:銦磷基激光器 發散角 光場分布 

摘要:理論仿真和實驗制備了AlGaInAs/InP材料1.55 μm小發散角量子阱激光器.為了擴展近場光場并減小內損耗,將一個非對稱模式擴展層插入到外延結構的下蓋層當中.仿真結果表明,該模式擴展層除了少量增加激光器閾值電流以外,在不影響激光器其它性能的情況下能顯著減小激光器的垂直遠場發散角.實驗結果與理論仿真高度吻合.成功制備出脊寬4 μm,腔長1 000 μm的脊波導小發散角激光器.在端面未鍍膜的情況下,該激光器閾值電流為56 mA,輸出功率為17.38 mw@120 mA,斜率效率可以達到0.272 W/A.實驗測得垂直遠場發散角為29.6°,相比較傳統激光器減小了約35.3%.

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