關鍵詞：超短激光 熱積累效應 雙溫方程 單晶硅燒蝕 光柵結構 

摘要：針對超短激光輻照單晶硅材料制備光柵結構存在表面裂紋的缺陷,采用雙溫模型數(shù)值模擬出熱積累效應,并且實驗驗證不同加工參數(shù)下制備的單晶硅表面光柵結構的表面質量。數(shù)值模擬出不同超短激光功率下電子溫度和晶格溫度的變化規(guī)律,通過調節(jié)不同的加工參數(shù)制備出單晶硅表面光柵結構溝槽,采用超景深三維顯微鏡對其表面形貌分析。結果表明:當超短激光的輸出功率增大時,激光熱馳豫時間變大,增大了非平衡狀態(tài)下激光的燒蝕強度。單晶硅表面的不平整凹坑造成超短激光的反射和散射,從而使得燒蝕后存在凹坑,造成單晶硅表面的損傷溶蝕。當加工速度和加工次數(shù)一定時,增大激光的輸出功率可以提高超短激光制備光柵結構的加工效率,但過大的激光功率反而造成光柵結構溝槽兩側出現(xiàn)溶蝕凹坑。

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