關鍵詞：電子束光刻 x射線透射光柵 鄰近效應校正 x射線光刻 

摘要：為了制備高線密度X射線透射光柵掩模，分析了電子束光刻中場拼接對高線密度光柵圖形的影響；利用幾何校正技術和低靈敏度的950k的PMMA電子束抗蝕劑，克服了電子束的鄰近效應對厚膠圖形曝光的影響。采用電子束光刻和微電鍍的方法制備了5000 line／mm X射線透射光柵的掩模，并將柵線寬度精確控制在100nm～110nm，為X射線光刻復制高線密度X射線透射光柵創造了有利條件。

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