關鍵詞：溫度傳感 電荷遷移態 熱耦合 熒光強度比 相對靈敏度 

摘要：利用釩酸根電荷遷移態的熒光溫度猝滅效應與Sm3+的4F3/2與4G5/2能級之間的熱耦合特性,設計了基于釩酸根與Sm3+熒光強度比的新型光學測溫方案。在310 nm的激發下,通過測量GdVO4:0.5%Sm3+粉末樣品在300~480 K溫度范圍內的變溫發射光譜,研究了釩酸根在450 nm處與Sm3+在535 nm處熒光強度比的溫度依賴關系,所得相對溫度靈敏度在380 K達到最大值1.6%·K-1,在較大的溫度范圍內,明顯優于基于Er3+和Ho3+熱耦合能級熒光強度比的測溫體系。同時,通過研究GdVO4:5%Sm3+的變溫發射光譜,對發射光譜中位于480~503 nm范圍內熒光峰的躍遷來源進行了指認。

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